首页 > 商品目录 > > > > STB160N75F3代替型号比较

STB160N75F3  与  IPB035N08N3 G  区别

型号 STB160N75F3 IPB035N08N3 G
唯样编号 A3-STB160N75F3 A-IPB035N08N3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ
上升时间 - 79ns
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 214W
Qg-栅极电荷 - 117nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 10mm
下降时间 - 14ns
典型接通延迟时间 - 23ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRFS3306TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK 10mm

¥10.549 

阶梯数 价格
5: ¥10.549
100: ¥8.932
355 对比
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
400: ¥12.766
800: ¥11.7119
0 对比
IRF2907ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB035N08N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB035N08N3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IRFS3207TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售